NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)PX 4070
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PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是通過(guò)將活性氣體變成等離子體狀AIX G5 WW C CVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
AIXG5WWCCVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是面向6英寸SiC功率器件量產(chǎn)的AIX 2800G4-TM CVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
AIX2800G4-TMCVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是面向GaAs/InP光電器件與AIX G5+ C CVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
AIXG5+CCVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一類專門用于制備化合物半導(dǎo)體G10-ASP CVD砷化鎵化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
G10-ASPCVD砷化鎵化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是面向GaAs/InP基光電器件的全自G10-GaN CVD氮化鎵化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
G10-GaNCVD氮化鎵化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是面向6/8英寸GaN功率與射頻器件G10-SiC CVD碳化硅化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
G10-SiCCVD碳化硅化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種專門用于生產(chǎn)碳化硅(SiCPD-3800L PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
PD-3800LPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種能夠沉積硅基薄膜(