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大塚電子主要銷售用于光學特性評價?檢查的裝置。其裝置用于在LED、OLED、汽車前燈等的光源?照明產業(yè)以及液晶顯示器、有機EL顯示器等平板顯示產業(yè)以及其相關材料的光學特性評價?檢查。以高速?高精度?高可靠性且有市場實際應用的分光器MCPD系列為基礎，在中國的顯示器市場上有著20年以上銷售實例，為許多廠家在研究開發(fā)、生產部門所使用。并且在光源?照明相關方面，對國家級研究機構、各個廠家的銷售量在逐步擴大。
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OTSUKA 大塚電子 硅晶圓厚度監(jiān)測器產品參數
| 產地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 10萬-20萬 |
| 應用領域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,食品/農產品,電子/電池,電氣,綜合 |
OTSUKA 大塚電子 硅晶圓厚度監(jiān)測器詳細信息
OTSUKA 大塚電子 硅晶圓厚度監(jiān)測器 SF-3
OTSUKA 大塚電子 硅晶圓厚度監(jiān)測器 SF-3
CMP或BG下硅晶圓厚度的實時測量
特色
非接觸式、非破壞性測量
譜分析后的參數設置
CMP、BG期間的高速實時監(jiān)控
對保護膜和窗戶材料等夾層進行測量
多層分析
原始分析引擎
原始的厚度測量解析算法
厚度分布的自動映射函數
測量項目
薄膜厚度分析（5層）
應用
硅晶圓材料的厚度測量
硅/化合物半導體的研磨評估
1.3毫米/下一代450毫米晶圓
775微米300毫米晶圓
TSV晶圓（過孔上的硅層厚度測量）
其他材料（SiO2，薄膜）
關鍵特點
硅專用高精度：近紅外光源適配硅，納米級重復精度，滿足超薄 / 厚晶圓制程要求
高速實時監(jiān)控：5 kHz 采樣，適配 CMP/BG 高速研磨，無滯后閉環(huán)控制
非接觸無損：光纖探頭距晶圓50–200 mm，不損傷表面 / 微結構
穿透測量能力：可穿透保護膜、研磨液、玻璃窗口，適應惡劣產線環(huán)境
體積小易集成：主機僅123×224×128 mm，光纖探頭靈活安裝，適配各類研磨機 / 拋光機
多層解析：可同時測量硅層 + 膠層 + 支撐基板厚度，適配臨時鍵合 / TSV 制程
核心產品優(yōu)勢
區(qū)分基板厚度與表面薄膜，多層同步解析
可同時分離硅襯底、臨時鍵合樹脂、玻璃承載層三層獨立厚度，適配臨時鍵合 / 解鍵合工藝，FE-3、MCPD 系列僅能測晶圓表面薄層，無法測硅基底本體厚度。
非接觸無損在線終點監(jiān)控
無探針、無壓力，背磨 / CMP 過程實時監(jiān)測剩余硅厚度，輸出終點停機信號，避免超薄晶圓過磨破片、厚度不均。
長工作距離 + 可穿透中間介質
能透過設備觀察窗、晶圓保護膜測量，無需腔體開蓋，兼容研磨機濕工藝、真空鍵合腔體。
小型化設備內置設計
機身緊湊，直接嵌入研磨、拋光、貼合設備機柜，無需獨立檢測工位，節(jié)省產線空間。
選配整片 Mapping 厚度分布
搭配 XY 載臺可自動掃描晶圓全域，輸出厚度云圖，評價片內均勻性，優(yōu)化研磨工藝參數。
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