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中國科學院沈陽科學儀器股份有限公司（以下簡稱“公司”）創(chuàng)建于1958年，公司總部位于遼寧省沈陽市渾南區(qū)，占地面積110畝，建筑面積3.5萬平方米。多年來，公司專注于高真空、超高真空、超潔凈真空技術的研究和發(fā)展，是我國集成電路裝備和真空儀器設備的研制、生產(chǎn)基地，先后組建“國家分子束外延技術開發(fā)實驗基地”、“國家真空儀器裝置工程技術研究中心”和“真空技術裝備國家工程研究中心”等科研平臺。
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沈陽科儀高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統(tǒng)詳細信息
沈陽科儀高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統(tǒng)--PLD450
真空室結構:球形前開門
真空室尺寸:450mm
極限真空度:≤6.67E-6Pa
沉積源:2英寸靶材，4個
樣品尺寸，溫度:2英寸，1片，最高800℃C
占地面積(長x寬x高):約1.8米x0.97米x1.9米
電控描述:全自動
工藝:
特色參數(shù):
產(chǎn)品概述：
系統(tǒng)主要由真空室、旋轉靶臺、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。
設備用途：
脈沖激光沉積(Pulsed Laser DeposiTION，簡稱PLD)是新近發(fā)展起來的一項技術，繼20世紀80年代末成功地制備出高臨界溫度的超導薄膜之后，它的優(yōu)點和潛力逐漸被人們認識和重視。該項技術在生成復雜的化合物薄膜方面得到了非常好的結果。與常規(guī)的沉積技術相比，脈沖激光沉積的過程被認為是“化學計量”的過程，因為它是將靶的成分轉換成沉積薄膜，非常適合于沉積氧化物之類的復雜結構材料。當前脈沖激光制備技術在難熔材料及多組分材料(如化合物半導體、電子陶瓷、超導材料)的精密薄膜，顯示出了誘人的應用前景。
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內容聲明：
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