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進口Otsuka大塚FE系列高精度自動化膜厚儀
進口Otsuka大塚FE系列高精度自動化膜厚儀
FE 系列（FE-300/3700/5700/5000） —— 獨立臺式 / 離線膜厚儀（你說的 Stand-alone 膜厚測定機）
LS 線掃描系列 —— 離線 / 在線大面薄膜測厚，有時也被混稱為 TE
FE-300V：標準型（Vis 可見光）
FE-300UV：紫外增強型
FE-300NIR：近紅外厚膜型
測量原理：反射分光干涉 + **反射率分析
膜厚范圍：
FE-300UV：1 nm ~ 30 μm
FE-300V：3 nm ~ 50 μm
FE-300NIR：16 nm ~ 300 μm
波長：
UV：230–800 nm
VIS：360–1100 nm
NIR：900–1600 nm
單點測量時間：≤1 s
光斑：φ20 μm
可解析層數(shù)：*多 10 層
尺寸：臺式小型機，約 350×450×200 mm
200 mm 晶圓量產(chǎn)抽檢：SiO?、SiN、光刻膠（PR）、多晶硅厚度
R&D 小批量：實驗室離線測厚、工藝條件篩選
封裝 / 載板：干膜、阻焊層、PI 膜、環(huán)氧樹脂層
化合物半導體：GaAs、InP 上介質(zhì)膜 / 金屬膜厚
波長：230–1700 nm（UV–NIR 寬帶）
膜厚：1 nm ~ 500 μm
重復性：≤±0.05 nm（超薄膜）
平臺：全自動 XYθ 平臺（300 mm 兼容）
映射：2D/3D 厚度分布圖
層數(shù)：*多 20 層解析
300 mm 晶圓廠離線質(zhì)檢：CMP 后氧化層殘留、STI 淺溝槽、ILD 層間介質(zhì)
光刻工藝：PR 膜厚 + 均勻性檢測（曝光前 / 后）
超薄高 k 介質(zhì)：幾 nm–幾十 nm HfO?、Al?O? 等
功率器件：厚場氧、鈍化膜、外延層測厚
測量方式：光譜橢偏 + 反射率
波長：190–1700 nm
膜厚：0.1 nm ~ 500 μm
可測：膜厚 + 折射率 n + 消光系數(shù) k
自動變角：45°–90° 自動入射角
解析能力：多層膜、梯度膜、超晶格
優(yōu)良制程（7nm–28nm）：極薄柵氧、高 k / 金屬柵疊層
FinFET、GAA：側(cè)墻 / 間隔層、SiGe 外延層厚度與組分
非晶 / 微晶薄膜：TFT、IGZO、SiNx 鈍化膜
高精密光學鍍膜：AR、HR、DLC、多層濾光片
LS 離線線掃描膜厚儀（常被混稱為 TE 離線型）
超薄柵氧 / 高 k（1–100 nm） → FE-300UV / FE-5000
200mm 量產(chǎn)、SiO?/SiN/PR（3–50 μm） → FE-300V
300mm、CMP/ILD/ 厚膜（50–300 μm） → FE-300NIR / FE-3700
優(yōu)良制程、n/k 常數(shù)、多層疊層 → FE-5000
整片大面均勻性、厚膠 / 基板 → LS 離線線掃描
大面積均勻性檢測：整片晶圓 / 玻璃基板膜厚 mapping
厚膠 / 厚膜：臨時鍵合膠、封裝填充層、厚光刻膠（>50 μm）
FPD 與半導體：LCD/OLED 基板、大尺寸晶圓 TSV 厚硅層
制程異常分析：膜厚不均、邊緣堆積、條紋缺陷快速定位
膜厚范圍：0.1 μm ~ 300 μm
測量寬度：250 mm（X 向）
掃描速度：1 ms / 點，500 萬點 / 分鐘
臺面：真空吸附平臺，可放整片 200 mm 晶圓 / 方片
尺寸：459×609×927 mm，重量 60 kg
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