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Mitsubishi是世界優(yōu)質(zhì)的電氣和電子產(chǎn)品及系統(tǒng)制造和銷售領(lǐng)域的制造商，在廣泛的領(lǐng)域和應(yīng)用中使用。Mitsubishi主要產(chǎn)品：電機(jī)減速機(jī)、伺服電機(jī)、壓縮機(jī)、變頻器、電源模塊、低壓斷路器、可編程控制器、電磁離合器、制動(dòng)器、張力控制器、人機(jī)界面等
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MITSUBISHI三菱電機(jī) 電源模塊 高壓 SiC產(chǎn)品參數(shù)
| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
MITSUBISHI三菱電機(jī) 電源模塊 高壓 SiC詳細(xì)信息
MITSUBISHI三菱電機(jī) 電源模塊 高壓 SiC
MITSUBISHI三菱電機(jī) 電源模塊 高壓 SiC
一、產(chǎn)品基礎(chǔ)信息
產(chǎn)品全稱：高壓全碳化硅功率模塊（HV Full-SiC MOS 模塊）品牌：三菱電機(jī)半導(dǎo)體系列名稱：Unifull™ 高壓平臺(tái)，型號前綴統(tǒng)一為 FMF電壓等級：1700V / 3300V / 6500V（高壓主力）芯片方案
標(biāo)準(zhǔn)版：獨(dú)立 SiC MOSFET + 外置 SiC 肖特基二極管
新一代 BE 嵌入式：SBD 內(nèi)嵌 MOS 芯片，把肖特基二極管集成在 MOS 元胞內(nèi)部，芯片面積縮減 54%，消除雙極性退化，開關(guān)損耗再降 54%
封裝平臺(tái)
LV100 封裝（3300V 機(jī)型，絕緣電壓 6kV）
HV100 封裝（6500V 超高壓機(jī)型）
保護(hù)配置：高壓款同樣搭載RTC 內(nèi)置短路限制電路（帶 Z 后綴），解決高壓 SiC 短路耐量不足問題。
二、核心技術(shù)亮點(diǎn)
超低開關(guān)損耗
對比同電壓硅 IGBT 模塊，總功率損耗降低 91%；相比初代高壓 SiC，內(nèi)嵌 SBD 版本損耗再下降一半，逆變器效率突破 99%。
BMA 雙極性元胞技術(shù)
大幅提升浪涌電流耐受能力，抑制雪崩擊穿，適配軌道交通、高壓電網(wǎng)頻繁沖擊工況。
低寄生電感對稱封裝
LV100 內(nèi)部布線優(yōu)化，雜散電感＜15nH，高壓高速開關(guān)下電壓尖峰可控，無需大量吸收回路。
內(nèi)置 RTC 硬件短路保護(hù)（Z 后綴機(jī)型）
納秒級片內(nèi)限流，短路耐受時(shí)間穩(wěn)定≥1.7μs，大幅降低高壓炸管風(fēng)險(xiǎn)，降低驅(qū)動(dòng)開發(fā)門檻。
寬溫穩(wěn)定運(yùn)行
最高結(jié)溫 Tj=175℃，高溫工況下導(dǎo)通電阻無明顯惡化，適合密閉水冷高壓變流器。
拓?fù)錁?biāo)準(zhǔn)化
全部為 2in1 半橋結(jié)構(gòu)，兼容傳統(tǒng)高壓 IGBT 模塊安裝尺寸，可直接替換 IGBT 模塊升級 SiC 方案。
三、完整型號矩陣
1）1700V 中高壓工業(yè)機(jī)型（SVG、高壓變頻器）
| 型號 | 電壓 | 電流 | 結(jié)構(gòu) | RTC 短路保護(hù) |
|---|---|---|---|---|
| FMF300E3XZ-34BN | 1700V | 300A | 2in1 半橋 | ?內(nèi)置 |
| FMF600E3XZ-34BN | 1700V | 600A | 2in1 半橋 | ?內(nèi)置 |
2）3300V 軌道交通 + 高壓儲(chǔ)能主力（LV100 封裝）
初代外置二極管款
FMF185DC-66A 3300V / 185A
FMF375DC-66A 3300V / 375A
FMF750DC-66A 3300V / 750A
新一代 SBD 嵌入式 BE 系列（損耗更低，量產(chǎn)新款）
FMF200DC-66BE 3300V / 200A
FMF400DC-66BEW 3300V / 400A
FMF800DC-66BEW 3300V / 800A（旗艦大電流型號）
3）6500V 特高壓輸配電機(jī)型（HV100 封裝）
FMF 系列 6.5kV 全 SiC 模塊，芯片內(nèi)嵌肖特基二極管，功率密度達(dá)到行業(yè)頂尖水平，面向柔性直流輸電項(xiàng)目。
4）高壓混合 SiC（經(jīng)濟(jì)型方案）
Si 高壓 IGBT + SiC 肖特基二極管，型號：CMH600DC-66A（3300V/600A），保留 IGBT 優(yōu)異抗短路能力，性價(jià)比更高。
四、關(guān)鍵電氣參數(shù)（FMF800DC-66BEW，3300V 旗艦款）
額定耐壓：Vds=3300V
連續(xù)漏極電流：Id=800A
最高工作結(jié)溫：175℃
短路耐量：≥1.7μs（RTC 硬件限流）
驅(qū)動(dòng)電壓：+17V /-7V
絕緣等級：6000Vrms 絕緣耐壓，局部放電≤10pC
封裝尺寸：100mm×144mm LV100 標(biāo)準(zhǔn)封裝
五、三大方案橫向?qū)Ρ龋?.3kV 等級）
| 器件方案 | 器件組合 | 整體損耗 | 短路可靠性 | 適用場景 |
|---|---|---|---|---|
| 硅 IGBT 模塊 | Si IGBT+Si 二極管 | 最高 | 高 | 老舊高壓變流器 |
| CMH 高壓混合 SiC | Si IGBT+SiC SBD | 降低 45% | 高 | 經(jīng)濟(jì)型高壓改造 |
| FMF 高壓全 SiC（BE 內(nèi)嵌款） | SBD 內(nèi)嵌 SiC MOS | 降低 91% | 優(yōu)秀（RTC 保護(hù)） | 高鐵、柔性直流、高壓儲(chǔ)能 |
六、配套方案
專用高壓 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器
匹配 RTC 故障信號引腳，支持高壓隔離驅(qū)動(dòng)，抑制高壓開關(guān)尖峰。
散熱方案
標(biāo)準(zhǔn)風(fēng)冷基板；大功率機(jī)型標(biāo)配針翅水冷 Pin-Fin 基板。
外圍器件
高頻無感高壓薄膜電容、小型 RC 吸收回路。
替代互換
同封裝可直接替換 CM 系列 3300V 高壓 IGBT，機(jī)械尺寸一致。
七、行業(yè)應(yīng)用場景
軌道交通牽引變流器（核心市場）
高鐵、地鐵主逆變器與輔助電源，整機(jī)減重 25%，續(xù)航提升 15% 以上，3.3kV Unifull 平臺(tái)為日系機(jī)車原廠標(biāo)配方案。
高壓儲(chǔ)能電站、大容量光伏集中逆變器
3kV 以上直流母線系統(tǒng)，大幅降低變流器損耗，提升循環(huán)效率。
電網(wǎng) SVG、無功補(bǔ)償裝置、高壓變頻器
中頻高頻化設(shè)計(jì)，縮小變壓器體積，降低設(shè)備噪音。
柔性直流輸電（HVDC）、海上風(fēng)電變流器
6500V 超高壓 SiC 模塊用于大功率電力電子換流閥。
半導(dǎo)體高壓直流電源、特種工業(yè)高壓電源
高壓高頻工況，兼顧效率與長期運(yùn)行穩(wěn)定性。
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