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日本 NAPSON 硅片半導(dǎo)體渦流電阻率檢測(cè)儀器 日本 NAPSON 硅片半導(dǎo)體渦流電阻率檢測(cè)儀器

1. 產(chǎn)品概述

EC-80P-PN 為臺(tái)式渦流非接觸式電阻檢測(cè)設(shè)備，無(wú)需接觸樣品即可完成方塊電阻、電阻率無(wú)損檢測(cè)；主機(jī)可搭載多規(guī)格探頭，覆蓋低阻至硅片專用全量程，適配半導(dǎo)體晶圓、光伏硅片、導(dǎo)電薄膜來(lái)料與產(chǎn)線全檢，不劃傷成品，適合批量無(wú)損抽檢。

2. 完整測(cè)量量程

1）電阻率整體區(qū)間

1m~200Ω?cm（樣品厚度 500μm 下全探頭合計(jì)范圍）

2）方塊電阻整體區(qū)間

10m~3000Ω/sq（全探頭合計(jì)量程）

分 5 檔專用探頭區(qū)間：

低阻：0.01~0.5Ω/□

中阻：0.5~10Ω/□

高阻：10~1000Ω/□

S - 高阻：1000~3000Ω/□

太陽(yáng)能硅片專用：5~500Ω/□

3. 整機(jī)物理尺寸

主機(jī)本體：W255×D275×H95mm，整機(jī) 4kg

探頭規(guī)格：φ20mm×80mm 手持探頭

4. 核心硬件功能

渦流非接觸單點(diǎn)測(cè)量，探頭輕貼樣品表面即可自動(dòng)讀數(shù)，無(wú)樣品損傷；

電阻率、方塊電阻雙測(cè)量模式一鍵切換；

JOG 調(diào)節(jié)旋鈕，快速設(shè)置測(cè)量閾值、補(bǔ)償參數(shù)；

雙探頭擴(kuò)展接口，可同時(shí)接入 2 支不同量程探頭，一鍵切換量程；

適配不限外形尺寸樣品，僅要求樣品平整、直徑≥20mm。

四、四大核心產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1. 無(wú)損渦流檢測(cè)，成品零損傷

非接觸渦流測(cè)量原理，無(wú)需探針壓合，鍍膜、硅片成品檢測(cè)不會(huì)產(chǎn)生劃痕，適合出貨全檢工序。

2. 多探頭全覆蓋，全品類材料通用

5 檔可選探頭覆蓋低阻金屬膜、高阻 TCO、光伏硅片、碳化硅半導(dǎo)體，一臺(tái)設(shè)備滿足實(shí)驗(yàn)室與產(chǎn)線多場(chǎng)景檢測(cè)。

3. 臺(tái)式穩(wěn)定機(jī)身，手持探頭靈活檢測(cè)

主機(jī)穩(wěn)固放置工作臺(tái)，搭配輕量化手持探頭，大尺寸晶圓、卷材薄膜均可靈活取點(diǎn)測(cè)量。

4. 操作極簡(jiǎn)，產(chǎn)線人員快速上手

旋鈕式參數(shù)調(diào)節(jié)、雙模式一鍵切換，無(wú)需復(fù)雜校準(zhǔn)，新手短時(shí)間即可完成批量檢測(cè)。

五、適用測(cè)量樣品與行業(yè)

測(cè)量對(duì)象

硅 / 多晶硅 / SiC 半導(dǎo)體晶圓、GaAs/GaN/InP 化合物外延片、ITO / 金屬導(dǎo)電薄膜、石墨烯 / 碳納米管 / 銀納米線新材料、光伏太陽(yáng)能硅片。

應(yīng)用行業(yè)

半導(dǎo)體晶圓制造、光伏電池片生產(chǎn)、顯示觸控鍍膜、第三代半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室、新材料研發(fā)、光學(xué)薄膜加工廠。