冷壁 CVD 是實現(xiàn)薄膜、低維半導體材料外延生長的核心工藝裝備，區(qū)別于傳統(tǒng)熱壁 CVD 整腔高溫加熱方案，設備采用襯底獨立精準加熱、腔體循環(huán)水冷控溫至近室溫的差異化結構設計。該設計可讓反應沉積過程僅集中發(fā)生在襯底表面，大幅減少腔壁高溫分解產生的顆粒雜質，有效降低薄膜缺陷與污染；同時襯底獨立控溫模式升降溫響應速度快，工藝切換周期短，便于精準調控材料成核、生長、摻雜全過程，在先進集成電路、二維半導體、光伏電池、光電探測器、寬禁帶器件等前沿領域均為關鍵制備設備。

針對當前二維材料、先進集成電路產業(yè)化與科研試驗的設備缺口，我司聯(lián)合行業(yè)合作單位深度工藝開發(fā)，推出適配大尺寸晶圓加工的專用垂直冷壁 CVD 成套系統(tǒng)，兼顧實驗室基礎研發(fā)、工藝中試迭代與小批量試樣量產多重使用需求，同時支持整機模塊化定制開發(fā)，匹配特殊材料生長工藝。

設備核心參數與優(yōu)勢

腔體結構：垂直式冷壁結構，腔體水冷維持近室溫工況，雙腔室獨立分區(qū)布局，可實現(xiàn)生長腔與傳輸腔隔離，減少外界雜質引入，提升薄膜一致性；

工作溫度區(qū)間：500℃~1100℃，襯底單點精準控溫，溫場均勻性優(yōu)異，適配半導體外延膜等多種材料生長；

適配晶圓規(guī)格：支持單片 4 英寸、6 英寸、8 英寸標準晶圓一體化加工，兼容各類方形、異形襯底試樣；

全自動化系統(tǒng)：搭載全自動晶圓真空傳片機構，搭配多路高精度氣體質量流量控制系統(tǒng)，可自動完成多組分工藝氣體配比、切換；集成原位實時檢測模塊，實時監(jiān)測腔內壓力、溫度、氣體濃度等關鍵工藝參數，全程工藝數據自動存儲記錄；

真空體系：搭載高真空機組，可提供潔凈低本底真空環(huán)境，大程度抑制雜質干擾，保障高純薄膜制備；

適用場景：覆蓋高校院所前沿科研、企業(yè)新工藝中試放大、實驗室小批量樣品試制；

定制化服務：可根據目標材料、工藝路線、產能需求，對腔體尺寸、氣路通路、加熱模塊、自動化功能、檢測組件進行個性化選配與整機定制。