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產品簡介
英飛凌IGBT,INFINEON,FF200R12KT4產品參數
| 電路結構 | 半橋 |
英飛凌IGBT,INFINEON,FF200R12KT4詳細信息
技術參數：
• Ic(A),Tc=80℃ 300
• Vce(sat),Max(V) 3.75
• Ton(us) 0.11
• Toff(us) 0.55
• Rth(j-c),K/W 0.064
• Pc(W) 1950
• 封裝 62mm
• 電路結構 半橋
性能概要：
• 高短路能力，自我限制短路電流
• 低開關損耗
• 耐用性高
• V（CESAT）具有正溫度系數
• CTI>400
• 高漏電距離和電氣間隙
• 隔離底板
• 銅基板
• 標準外形
優(yōu)點：
• 靈活性
• 佳的電氣性能
• 高的可靠性
目標應用：
• 電機控制和驅動
• 太陽能系統(tǒng)解決方案
對于完整的太陽能電力解決方案的主導產品
• 不間斷電源（UPS）
• 商業(yè)，農業(yè)和工程車輛（CAV）
• 感應加熱
• 工業(yè)焊接
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