在微納加工領(lǐng)域，選擇一款分辨率高、工藝寬容度大且耐刻蝕的光刻膠至關(guān)重要。micro resist technology GmbH 推出的 ma-N 2400 與 mr-EBL 6000 兩大負(fù)性光刻膠系列，為您的電子束曝光及深紫外光刻工藝提供優(yōu)質(zhì)解決方案。

ma-N 2400 系列：經(jīng)典可靠，雙敏感型

類型：負(fù)性光刻膠，同時(shí)對(duì)電子束和深紫外（DUV）敏感。

分辨率：電子束曝光下可實(shí)現(xiàn) （注：資料中展示了50nm線寬/80nm點(diǎn)陣） 高分辨率圖形。

顯影友好：采用TMAH或NaOH堿性水溶液顯影，避免有機(jī)溶劑溶脹問(wèn)題。

耐刻蝕性：具有高干法/濕法刻蝕抗性，圖形熱穩(wěn)定性優(yōu)異。

適用性：提供從0.1μm到1.0μm（2401/2403/2405/2410）多種膜厚選擇。

mr-EBL 6000 系列：化學(xué)放大，超高效率

類型：化學(xué)放大負(fù)性電子束光刻膠。

高靈敏度：相比傳統(tǒng)負(fù)膠，曝光速度顯著提升（例如10keV下僅需2-6 μC/cm2），大幅縮短寫(xiě)入時(shí)間。

分辨率：穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)80nm線寬/點(diǎn)陣的 精細(xì)結(jié)構(gòu)。

熱穩(wěn)定性：經(jīng)過(guò)后烘（PEB）后交聯(lián)牢固，耐刻蝕性。

膜厚選擇：提供100nm、300nm、500nm（6000.1/6000.3/6000.5）標(biāo)準(zhǔn)膜厚。

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