最近，我們接到一位從事光模塊封裝客戶的咨詢，他們在生產(chǎn)過程中需要對貼裝后的晶圓硅片進(jìn)行推力測試，以驗證芯片與基板之間的粘接強(qiáng)度是否達(dá)標(biāo)?？蛻籼貏e提到，他們的晶圓經(jīng)過減薄后厚度僅有80微米，擔(dān)心傳統(tǒng)測試方法容易導(dǎo)致晶圓碎裂，詢問是否有合適的解決方案。

今天，科準(zhǔn)測控小編就基于這個真實(shí)案例，為您詳細(xì)介紹一下如何通過Beta-S100推拉力測試機(jī)進(jìn)行晶圓硅片推力測試，包括原理、方法、設(shè)備要求及操作流程，供有需要的讀者參考。

一、測試原理

晶圓硅片推力測試（Die Shear Test），是指用精密的推刀水平推動芯片或硅片，模擬芯片在實(shí)際使用中受到的水平方向應(yīng)力，測量將其從基板或貼裝材料上推離所需的力值，從而評估芯片與基板之間的粘接強(qiáng)度。

這項測試廣泛用于多個領(lǐng)域：

半導(dǎo)體封裝（芯片貼裝工藝驗證）

光模塊封裝（薄晶圓可靠性評估）

功率器件（IGBT、MOSFET貼裝強(qiáng)度）

汽車電子（AEC-Q100認(rèn)證）

LED封裝（芯片固晶強(qiáng)度檢測）

二、       測試標(biāo)準(zhǔn)

JESD22-B109（JEDEC）：芯片剪切測試主流通用標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 4937.19-2018：國內(nèi)對應(yīng)國標(biāo)

SEMI G86：薄晶圓、3D 封裝、臨時鍵合場景專用        

三、測試設(shè)備

1、Beta-S100推拉力測試機(jī)

2、       設(shè)備介紹

力值精度：±025%，滿足多項標(biāo)準(zhǔn)要求

采樣率：4kHz，捕捉斷裂瞬間力值變化

剪切高度控制：±1μm精度，可編程設(shè)定，保護(hù)薄晶圓

模塊化設(shè)計：更換模塊即可切換推力/拉力測試，一機(jī)多用

數(shù)據(jù)追溯：支持原始數(shù)據(jù)導(dǎo)出、SPC分析、MES接口

四、測試流程

第1步：選擇并安裝測試模塊

根據(jù)客戶芯片的預(yù)估推力值，選擇合適量程的推力模塊。對于常規(guī)光模塊芯片，DS-50kg模塊通常足夠。

第2步：安裝推刀

選擇寬度大于芯片邊長60%-100%的推刀，確保推力均勻分布。將推刀安裝到模塊上，用六角扳手鎖緊。

第3步：固定樣品

將貼裝有晶圓的基板固定在測試平臺上。對于薄基板，建議使用真空吸附夾具，避免夾持力導(dǎo)致基板變形。

第4步：參數(shù)設(shè)定

在Beta-S100軟件中設(shè)定相關(guān)參數(shù)：

測試速度：100-500μm/s，速度過快可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)波動

剪切高度：芯片厚度的10%-20%，針對80μm薄晶圓，建議設(shè)為8-15μm

著陸速度：500μm/s，推刀接近芯片時的速度

可編程著陸力：10gf ，避免推刀撞擊晶圓

最大行程：芯片寬度的1.2倍，確保推刀有足夠行程推離芯片

第5步：定位與執(zhí)行測試

通過顯微鏡和搖桿控制，將推刀移動到芯片側(cè)面的正后方。確認(rèn)位置無誤后，點(diǎn)擊開始測試，系統(tǒng)自動完成推力施加和數(shù)據(jù)采集。

第6步：結(jié)果判定與失效分析

測試完成后，系統(tǒng)顯示最大推力值和力-位移曲線。根據(jù)以下標(biāo)準(zhǔn)判斷：

- 力值達(dá)標(biāo)且為內(nèi)聚斷裂（膠層內(nèi)部斷開，芯片和基板均有殘膠）：合格

- 力值不達(dá)標(biāo)或界面斷裂（芯片或基板一側(cè)干凈無殘膠）：不合格，需排查工藝

以上就是科準(zhǔn)測控小編為您介紹的晶圓硅片推力測試的全部內(nèi)容，希望對您有所幫助。如果您也是從事半導(dǎo)體封裝、光模塊、功率器件或汽車電子行業(yè)，正在尋找合適的推拉力測試方案，或者還有關(guān)于推拉力測試機(jī)怎么使用、推拉力測試機(jī)校準(zhǔn)規(guī)范、推拉力測試機(jī)國產(chǎn)廠家哪家好、推拉力測試機(jī)多少錢一臺等方面的疑問或需求，歡迎私信或留言聯(lián)系我們，我們可提供樣品實(shí)測和技術(shù)方案支持！