USHIO超高壓汞燈在半導(dǎo)體光刻工藝中的技術(shù)優(yōu)勢

在半導(dǎo)體制造中，光刻是決定芯片制程精度的核心工序，而光源系統(tǒng)則是光刻設(shè)備的“心臟”。

日本USHIO（牛尾）電機(jī)株式會社自1964年成立以來，深耕特種光源領(lǐng)域近60年，其超高壓汞燈產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于全球半導(dǎo)體光刻產(chǎn)線。

USHIO超高壓汞燈主要作為半導(dǎo)體、液晶及印刷基板等光刻工序的光源，配備于各類曝光裝置中。

針對半導(dǎo)體制造中不斷提高的成品率要求和日益突出的環(huán)保壓力，USHIO開發(fā)出“Full/Half亮燈方式”技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)超高壓UV燈在工作時(shí)輸入電力保持100%、待機(jī)時(shí)降至50%的雙階段切換，使耗電量和二氧化碳排放量較傳統(tǒng)方式削減約40%。

以使用20支25kW超高壓UV燈的生產(chǎn)線為例，該技術(shù)每年可削減約204萬kWh的耗電量 ，CO?排放量減少約780噸，同時(shí)因總放射熱量降低，有助于實(shí)現(xiàn)曝光裝置及冷卻單元的小型化。

該技術(shù)的核心突破在于開發(fā)出待機(jī)時(shí)輸出功率減至50%也不會發(fā)生熱變形的電極，并配備可靈活調(diào)整工作與待機(jī)時(shí)間間隔的控制單元，解決了傳統(tǒng)UV燈在待機(jī)時(shí)因輸出功率降低導(dǎo)致電極熱變形進(jìn)而影響亮度和壽命的技術(shù)難題。

憑借這一技術(shù)優(yōu)勢，USHIO超高壓汞燈在保障光刻精度的同時(shí)，顯著降低了制程能耗和運(yùn)營成本。