Zeta電位測量原理及大塚電子ELSZ系列的技術(shù)創(chuàng)新

Zeta電位是表征顆粒表面電化學(xué)性質(zhì)的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響分散體系的聚集行為、吸附性能及與基底的相互作用。

大塚電子的Zeta電位測量基于電泳光散射技術(shù)（Electrophoretic Light Scattering, ELS），也稱為激光多普勒法。

在施加電場的作用下，帶電顆粒向相反電極方向遷移，產(chǎn)生電泳運(yùn)動。

當(dāng)激光照射遷移中的顆粒時，散射光產(chǎn)生與電泳速度成正比的頻率偏移（多普勒頻移），通過檢測這一頻移可精確計算電泳遷移率，并依據(jù)Henry方程轉(zhuǎn)換為Zeta電位。

大塚電子ELSZ系列的一項核心創(chuàng)新是實測電滲流校正技術(shù)。

在Zeta電位測量中，樣品池壁帶電會引發(fā)電滲流，導(dǎo)致觀測到的顆粒表觀遷移率偏離真實值。

ELSZ系列通過實測樣品池內(nèi)不同深度位置的顆粒表觀遷移率，構(gòu)建完整的電滲流分布曲線，并應(yīng)用森·岡本公式進(jìn)行解析，從而獲得高精度的Zeta電位測量結(jié)果。

ELSZ-2000系列Zeta電位測量范圍覆蓋-200 mV至+200 mV，可對應(yīng)0.00001%~40%的寬濃度范圍。

該系統(tǒng)非常適用于界面化學(xué)、無機(jī)物質(zhì)、半導(dǎo)體、聚合物、生物學(xué)、制藥和醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究，不僅對應(yīng)微小顆粒，還適用于薄膜和平板表面的科學(xué)研究。