開管射線源具有焦點尺寸小、放大倍率高、成像效果好的特點，主要應用于高精密工業(yè)檢測。納米級開管射線源通過控制電子束，觀察芯片內部深層缺陷，成為支撐半導體制造業(yè)繼續(xù)向更小、更復雜、更集成方向發(fā)展的關鍵質控工具。據(jù)日聯(lián)科技相關人士向上證報記者介紹，全球能獨立研發(fā)和生產(chǎn)高性能納米級開放式X射線源的公司。日聯(lián)科技自2012年就成立了基礎研發(fā)團隊，十年如一日，通過上千次實驗、工藝調整，完成極其精密的電子光學系統(tǒng)搭建。日聯(lián)科技基礎研發(fā)團隊通過對基礎理論、關鍵材料、復雜制備工藝等技術掌握，實現(xiàn)靶材鍍膜、焊接技術等全流程工藝可控，完成了開放式射線源技術自主與創(chuàng)新突破。

據(jù)悉，目前，UNOS系列160kV開管射線源已經(jīng)形成標準化生產(chǎn)流程，實現(xiàn)批量生產(chǎn)，奠定了日聯(lián)科技在工業(yè)檢測行業(yè)中的龍頭地位，在技術路線選擇和市場競爭中占據(jù)了更主動的戰(zhàn)略地位。

以日聯(lián)開管X-RAY半導體智檢裝備AX9600為例，傳統(tǒng)裝備在第三代半導體缺陷識別精度與失效分析瓶頸，保證了0.8μm級缺陷全捕捉、納米級成像及質控全流程閉環(huán)；采用日聯(lián)自研160kV開放式微聚焦X射線源，超大幾何放大倍率，高清晰實時成像，完成半導體產(chǎn)品爬錫高度、連錫、虛焊、漏焊、短路等封裝缺陷和空洞、裂紋等內部結構缺陷檢測；強穿透能力搭配高放大倍率，可輕松完成3D/系統(tǒng)級封裝、IC壓焊等工藝中多種類缺陷檢測，以及捕捉TGV（Through Glass Via）和TSV（Through Silicon Via）工藝中微小對象的纖細細節(jié)。

同時，該設備還搭載自研160kV開放式微聚焦X射線源，可輕松穿透厚密材質，適用于檢測高密度集成電路和第三代半導體（SiC、GaN）的內部結構缺陷；最高可實現(xiàn)2000倍幾何放大倍率，結合微焦點X射線源，可實現(xiàn)最小0.8μm高精度檢測，清晰呈現(xiàn)比頭發(fā)絲細100倍的芯片內部結構，完成納米級缺陷分析；完整2.5D可實現(xiàn)360°XY檢測，解析隱藏在芯片底部的焊點空洞或互連橋接、斷裂等缺陷。