東京計裝(TOKYO KEISO)晶圓刻蝕、清洗、旋涂、CVD、SiC 第三代半導體
一、測量原理核心優(yōu)勢(全系通用)
直接測質(zhì)量流量,免溫壓補償
采用熱擴散溫差法,輸出為標準質(zhì)量流量(sccm),不受管路氣壓、環(huán)境溫度波動干擾,不用外加溫壓變送器,半導體機臺氣路最簡配套。
流道無機械運動件
內(nèi)部只有測溫鉑絲探頭,無齒輪、閥芯、節(jié)流孔板,故障率低、免日常保養(yǎng),潔凈室 CLASS100 可用東京計裝株式會社。
低壓損設(shè)計
全通 / 微旁路結(jié)構(gòu),氣體流過壓降極小,不損耗氣源壓力,適配真空管路、低供氣壓力的刻蝕 / ALD 設(shè)備。
二、精度與量程特性(銷售核心賣點)
高精度、高重復性
標準型 **±1.0% FS**,高精 HM6500/TF1150 可達 ±0.8% FS;重復性 ±0.2% FS,半導體量產(chǎn)工藝批次一致性穩(wěn)定。
超寬量程比 100:1
小流量可做到0.1sccm(TH 系列),大流量覆蓋至 400L/min,單臺儀表可兼顧微量吹掃 + 大流量工藝供氣,減少多臺儀表配置成本。
響應(yīng)迅速
階躍響應(yīng)<1s,PID 閉環(huán)控流(MFC 款)瞬間穩(wěn)壓穩(wěn)流,適配脈沖式 ALD、等離子刻蝕間斷供氣工況。
三、材質(zhì) & 耐腐(日系,半導體腐蝕氣專屬)
分層材質(zhì)選型全覆蓋
普通惰性氣體 (N?/Ar/O?):SUS316L;
強腐蝕特氣 (HCl/HI/HF/ 鹵素):316L-EP 電解拋光不銹鋼(HM6500/TF-S 防腐款標配),內(nèi)壁鏡面拋光低析出、防腐蝕結(jié)晶堵管;
TH 插入式可定制哈氏合金,適配高溫腐蝕尾氣測量。
低死體積
TF4000 微型款、TH1100 微量款腔體極小,氣體置換快,適配高純電子特氣、微量摻雜工藝。
四、產(chǎn)品線分工(選型速記)
1、HM 系列(標準 MFC,帶內(nèi)置控制閥,用量最大)
2、TF 緊湊型(無閥 MFM,只測流量、體積迷你)
3、TH 插入式(大管徑工業(yè)級)
五、電氣與集成優(yōu)勢(設(shè)備廠偏好)
多制式信號輸出:0~5V、4-20mA、RS485 Modbus,直接對接 PLC / 機臺工控,國產(chǎn)設(shè)備改造無需轉(zhuǎn)接模塊;
DC24V 通用供電,行業(yè)通用電源,替換老款 HORIBA、KOFLOC 直接對接原有接線;
可選慢啟動防沖氣功能:MFC 內(nèi)置緩開閥,開機緩慢升壓,避免瞬時氣流沖壞晶圓,半導體機臺剛需選配。
六、行業(yè)適配亮點
國產(chǎn)替代優(yōu)選: HORIBA 約 20%,性能參數(shù)對標,存量設(shè)備國產(chǎn)化替換;
全場景覆蓋:晶圓刻蝕、清洗、旋涂、CVD、SiC 第三代半導體外延全制程特氣測控;
防爆可選:EX 本安防爆型號,易燃易爆硅烷、磷烷管路合規(guī)使用。
相關(guān)產(chǎn)品
免責聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責,不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負版權(quán)等法律責任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
手機版
化工儀器網(wǎng)手機版
化工儀器網(wǎng)小程序
官方微信
公眾號:chem17
掃碼關(guān)注視頻號
















采購中心