發(fā)布日期： 2026年04月12日

作者： 森德儀器/應(yīng)用技術(shù)部

儀器類別： 檢測(cè)設(shè)備、分析儀器

閱讀時(shí)間： 約 15 分鐘

關(guān)鍵詞： 濕法刻蝕、濃度在線監(jiān)測(cè)、終點(diǎn)檢測(cè)、藥液管理、森德儀器、實(shí)驗(yàn)室設(shè)備

物理本質(zhì)： 刻蝕速率與藥液中有效組分的摩爾濃度成正比。例如，在 BOE（緩沖氧化物刻蝕液）中，HF 與 NH?F 的比例直接決定了對(duì) SiO? 的刻蝕均勻性。

監(jiān)控手段： 通過集成在管路中的傳感器（如近紅外光譜儀），實(shí)時(shí)分析多組分藥液的光譜特征。利用化學(xué)計(jì)量學(xué)模型，可以實(shí)現(xiàn)對(duì) H?SO?、H?O?、HF 等化學(xué)品的秒級(jí)濃度反饋。

物理本質(zhì)： 隨著刻蝕層變薄并最終暴露出底層材料，表面的反射率或藥液界面的折射率會(huì)發(fā)生突變。

技術(shù)路徑： 利用非接觸式的光學(xué)探頭從晶圓背部或正面上方實(shí)時(shí)探測(cè)。當(dāng)檢測(cè)到反射干涉條紋消失或特定波長下的強(qiáng)度躍遷時(shí)，系統(tǒng)自動(dòng)觸發(fā)的漂洗程序，將過刻蝕時(shí)間壓縮至毫秒級(jí)。

應(yīng)用場(chǎng)景： 針對(duì)減薄后的晶圓，使用混合酸去除機(jī)械加工損傷層。

技術(shù)要求： 很高的刻蝕速率一致性，防止由于濃度分布不均導(dǎo)致的晶圓厚度差（TTV）惡化。

森德適配性： 森德提供的在線藥液濃度分析儀，配合大流量藥液循環(huán)系統(tǒng)，可實(shí)時(shí)監(jiān)控混酸比例，確保大規(guī)模批次處理的均勻性。

應(yīng)用場(chǎng)景： 犧牲層（如氧化硅）的濕法去除，以釋放懸浮結(jié)構(gòu)。

技術(shù)要求： 需精準(zhǔn)判定犧牲層去除的時(shí)刻，防止藥液對(duì)敏感結(jié)構(gòu)的過度侵蝕。

森德適配性： 基于激光干涉原理的濕法終點(diǎn)檢測(cè)器，能夠穿透部分藥液層，實(shí)時(shí)捕捉底層圖形的顯現(xiàn)時(shí)刻，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)關(guān)斷。

應(yīng)用場(chǎng)景： 柔性顯示或功率器件中的金、銅電極成型。

技術(shù)要求： 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)剝離液中光刻膠殘留物的積累量，預(yù)判藥液失效點(diǎn)。

森德適配性： 利用紫外-可見全光譜分析，可定量檢測(cè)藥液中的有機(jī)負(fù)載量，指導(dǎo)產(chǎn)線科學(xué)更換藥液。

SEMI F63: 超純水系統(tǒng)及化學(xué)品純度合規(guī)性標(biāo)準(zhǔn)。

SEMI C1: 濕化學(xué)品分析與濃度偏差評(píng)價(jià)準(zhǔn)則。

ISO 15859: 半導(dǎo)體流體系統(tǒng)——藥液供應(yīng)與成分監(jiān)測(cè)通用要求。