SEMI總裁執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“AI正在重塑半導(dǎo)體制造投資的規(guī)模，隨著全球300mm晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計(jì)在2027年突破1500億美元，行業(yè)持續(xù)性的投入，著力構(gòu)建AI時(shí)代所需的先進(jìn)產(chǎn)能與韌性供應(yīng)鏈。"

   Logic和Micro領(lǐng)域預(yù)計(jì)將在2027年至2029年以總投資2280億美元lingpao設(shè)備擴(kuò)張，主要得益于強(qiáng)勁的晶圓代工行業(yè)需求，以及2nm以下**制程產(chǎn)能投資的推動(dòng)。先進(jìn)制程技術(shù)對(duì)于提升芯片性能和能效至關(guān)重要，以滿足各類AI應(yīng)用嚴(yán)格的芯片設(shè)計(jì)要求。預(yù)計(jì)從2027年到2029年，更多先進(jìn)制程技術(shù)將進(jìn)入量產(chǎn)階段。此外，AI性能的提升預(yù)計(jì)將推動(dòng)各類邊緣AI設(shè)備的大規(guī)模增長(zhǎng)。除先進(jìn)制程外，所有制程節(jié)點(diǎn)和各類電子設(shè)備的需求預(yù)計(jì)將溫和增長(zhǎng)，這也支撐了對(duì)成熟制程的投資。

Memory領(lǐng)域預(yù)計(jì)將成為設(shè)備支出**大領(lǐng)域，2027年至2029年總計(jì)將達(dá)1750億美元。這一時(shí)期標(biāo)志著該領(lǐng)域新一輪增長(zhǎng)周期的開始。其中DRAM設(shè)備支出預(yù)計(jì)在2027年至2029年累計(jì)將達(dá)1110億美元，而3D NAND設(shè)備支出同期預(yù)計(jì)為620億美元。

由于AI訓(xùn)練和推理需求的推動(dòng)，memory需求顯著增加。AI訓(xùn)練顯著推高了對(duì)高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）的需求，而模型推理則對(duì)存儲(chǔ)容量產(chǎn)生了大量需求，從而推動(dòng)了數(shù)據(jù)中心NAND閃存應(yīng)用的增長(zhǎng)。這一強(qiáng)勁需求使得memory供應(yīng)鏈在近期和中長(zhǎng)期保持高水平投資，有助于緩解傳統(tǒng)存儲(chǔ)周期波動(dòng)可能帶來的潛在下滑。

區(qū)域投資趨勢(shì)

2027年至2029年，全球300mm晶圓廠設(shè)備投資預(yù)計(jì)將廣泛覆蓋主要半導(dǎo)體制造區(qū)域，反映了先進(jìn)制程擴(kuò)張、memory產(chǎn)能增加以及政策支持下的供應(yīng)鏈本地化等多種因素的綜合影響。中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)和美洲地區(qū)在此期間均將迎來大規(guī)模投資，而日本、歐洲與中東、東南亞地區(qū)也將從較小的基數(shù)繼續(xù)擴(kuò)大投資。

在中國(guó)大陸，投資預(yù)計(jì)將繼續(xù)受益于國(guó)家政策的支持和推動(dòng)。在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)，支出預(yù)計(jì)主要由先進(jìn)晶圓代工產(chǎn)能的持續(xù)擴(kuò)張所驅(qū)動(dòng)，包括2nm及以下技術(shù)。韓國(guó)的投資仍與memory密切相關(guān)，AI相關(guān)需求正在支持新一輪產(chǎn)能和技術(shù)升級(jí)周期。在美洲地區(qū)，支出預(yù)計(jì)將由先進(jìn)制程擴(kuò)張和加強(qiáng)本土制造生態(tài)系統(tǒng)的更廣泛努力所支撐。

日本、歐洲與中東、東南亞地區(qū)預(yù)計(jì)到2029年也將實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。在這些地區(qū)，設(shè)備投資得到政府激勵(lì)措施、供應(yīng)鏈韌性戰(zhàn)略以及擴(kuò)大半導(dǎo)體制造產(chǎn)能的針對(duì)性努力的共同支持