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| 產地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 1萬-2萬 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,汽車及零部件,電氣,綜合 |
日本ULVAC/日本愛發(fā)科晶體薄膜沉積控制器,型號:CRTM-R1
日本ULVAC/日本愛發(fā)科晶體薄膜沉積控制器,型號: CRTM-R1
特色
采用新的測量方法大大提升了速率穩(wěn)定性。
能力(CI值)測量提升了晶體板的異常檢測能力。
憑借出色的膠片厚度和速率分辨率(0.0018? @5MHz),也非常適合低速率沉積控制。
最多可同時控制8個沉積。 (添加選項時)
通信方式支持以太網和RS-232C。
主機上存儲的各種日志數據可以以CSV格式傳輸到USB。
目的
金屬和光學薄膜沉積過程中的薄膜厚度和速率控制
規(guī)格
| 頻率 | 測量范圍 | 4.00~3.00MHz@4MHz 5.00~3.50MHz@5MHz 6.00~4.50MHz@6MHz |
| 測量分辨率 | 1 MHz | |
| 表示分辨率 | 1 MHz | |
| 沉積率 | 測量范圍*1 | 0.000~999.9?/s (0~99.99nm/s) |
| 測量分辨率*2 | 0.0028?/s @4MHz 0.0018?/s @5MHz 0.0012?/s @6MHz | |
| 表示分辨率*1 | 0.001?/s | |
| 薄膜厚度 | 測量范圍*1 | 0.000~9999k? (0~999.9μm) |
| 測量分辨率*2 | 0.0028? @4MHz 0.0018? @5MHz 0.0012? @6MHz | |
| 表示分辨率*1 | 0.001k? | |
| 支持的傳感器頻率 | 4MHz、5MHz、6MHz | |
| 可安裝傳感器數量(單一) | 2(選項包括MAX8,IF卡:每張卡2張×4張卡) | |
| 可安裝傳感器數量(多枚) | 2(選項包括MAX8,IF卡:每張卡2張×4張卡) | |
| 采樣率 | 100毫秒 | |
| 車庫項目數量 | 999 | |
| 流程項目數量 | 99 | |
| 數字輸入分數 | 14張(可選最多56張,DIO卡:每張14分×4張卡牌) | |
| 數字輸出評分 | 8(MAX32、DIO卡選項:每張卡8件物品×4張卡牌) | |
| 模擬輸出點 | 2張(MAX16選項,IF卡:每張2分×4張卡+AO卡:每張8分×1張卡) | |
| 模擬輸出范圍 | -10~+10V | |
| 溝通方法 | 局域網(以太網)(1000BASE-T/100BASE-TX/10BASE-T) RS-232C USB2.0 Type-B | |
| 外部尺寸(寬度×深度×高度) | CRTM-R1:約480×約320×約130毫米 CTM(-D) 選項:約80×約152×約53毫米 | |
| 重量 kg | CRTM-R1:5.3公斤(最高可選配:5.8公斤) CTM(-D) 選裝:0.6公斤 | |
| 實用性 | 交流 100~240V±10%,50/60Hz | |
| 最大功耗 | 150W | |
| 兼容保險絲 | 250V2.5A(2個5×20毫米) | |
| 知識產權保護等級 | IP20 | |
| 過電壓類別 | 第二類。 | |
| 高海拔條件 | 海拔2000米以下 | |
| 污染水平 | 2 | |
| 使用環(huán)境 | 溫度:5~40°C,濕度 :相對濕度20~85%(無冷凝水) 僅限室內 | |
| 存儲環(huán)境 | 溫度:-10~60°C(無電,無冷凝) 濕度 :相對濕度20~85%(無冷凝) | |
| 熱身時間 | 大約30分鐘 | |
| 兼容規(guī)范 | CE | |
*1:當工具=100和密度=1時的數值被設置。
*2:頻率分辨率通過工具=100和密度=1轉換。
期權介紹
使用CRTM-R1時,你需要可選的CTM(-D)+電纜組、傳感器和引入法蘭等。

傳統(tǒng)CRTM與新CRTM-R1的速率比較
CRTM-R1 也安靜且穩(wěn)定。
[新CRTM-R1]
[ 傳統(tǒng)CRTM ]



