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| 泵軸位置 | 其他 | 輸送介質 | 其他 |
|---|---|---|---|
| 葉輪數目 | 其他 | 應用領域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,電子/電池,電氣,綜合 |
| 序列號 | 137,1703,2088 |
ULVAC Cryo 已廣泛應用于電子、光學、太陽能、核聚變和航天開發(fā)等各個領域,并積累了豐富的經驗。
日本ULVAC愛發(fā)科真空泵低溫泵CRYO-U8HSP
日本ULVAC愛發(fā)科真空泵低溫泵CRYO-U8HSP
特征
適用于濺射工藝。
氬氣排氣量約為傳統(tǒng)型號(U8H)的 2.5 倍。
氫氣排氣速度已提高到傳統(tǒng)型號(U8H)的約 1.2 倍。
更長的再生間隔有助于提高設備的利用率。
可進行多單元操作(最多 3 臺)。
外形尺寸(單位:毫米)

規(guī)格
| 排氣速度(20℃) | 氮 | 升/秒 | 1,700 |
| 氫 | 3,200 | ||
| 氬氣 | 1400 | ||
| 水 | 4,000 | ||
| 極限壓力 | 帕(托) | 10 -7 (10 -9 ) | |
| zui大流量 | 氬氣 | 帕·升/秒 (托·升/秒) | 1.2 × 103 (8.9) |
| 氫 | 2.4 × 102 (1.8) | ||
| 排氣容量 | 氬氣 | Pa?L(Torr?L) | 2.5 × 10? (1.9 × 10? ) |
| 氫 | 1.0 × 10? (7.8 × 103 ) | ||
| 冷卻下降時間 (電源循環(huán)) | 最小值(赫茲) | 125/115 (50/60) | |
| 進氣法蘭 | UVG-200、6 B ANSI、UFC-253 | ||
| 壓縮機組 | C10T,C10AT | ||
| 大量的 | 公斤 | 33.2 | |
*維護周期:16,000 小時
一、型號定位與含義
型號含義:SP = Sputtering Process(濺射工藝專用)
核心定位:在標準 CRYO?U8H 基礎上,氬氣容量 ×2.5、氫氣抽速 ×1.2,專為高 Ar 流量、長連續(xù)運行的濺射 / PVD 場景設計。
極限真空:1×10?? Pa(1×10?? Torr),無油潔凈。
二、關鍵規(guī)格參數(20℃)
| 參數 | CRYO?U8HSP | 標準 CRYO?U8H | 提升幅度 |
|---|---|---|---|
| 抽速(L/s) | N?:1700;H?:3200;Ar:1400;H?O:4000 | N?:1700;H?:2700;Ar:1400;H?O:4000 | H? +18.5% |
| 極限壓力 | 1×10?? Pa | 1×10?? Pa | — |
| zui大流量 | Ar:1.2×103 Pa·L/s;H?:2.4×102 Pa·L/s | Ar:1.2×103;H?:2.4×102 | — |
| 排氣容量 | Ar:2.5×10? Pa·L;H?:1.0×10? Pa·L | Ar:1.0×10?;H?:1.0×10? | Ar +150% |
| 冷卻時間 | 100 min(50 Hz)/ 90 min(60 Hz) | 100/90 min | — |
| 法蘭 | UVG?200、6B ANSI、UFC?253 | 同左 | — |
| 配套壓縮機 | C10、C10AT、C10ES | 同左 | — |
| 重量 | 20.8 kg | 20.8 kg | — |
三、核心技術特點(SP 專屬)
- 濺射工藝深度優(yōu)化
氬氣容量翻倍 +:Ar 容量達 2.5×10? Pa·L,是 U8H 的2.5 倍,大幅延長再生間隔。
氫氣抽速強化:H?抽速 3200 L/s,比 U8H 高18.5%,適配含氫濺射 / ALD 工藝。
長周期穩(wěn)定運行:再生周期顯著延長,設備稼動率更高。
- 安裝與控制兼容
法蘭、接口、壓縮機與 U8H/U8H?U/U8HL wan全互換,可直接替換升級。
支持 MBD?S/MBD?T + MBS?C 測溫,適配現有控制系統(tǒng)。
支持最多 3 臺并聯,滿足大腔體濺射需求。
- 無油潔凈超高真空
全電驅動,無油蒸汽污染,滿足半導體、顯示、光學鍍膜的潔凈要求。
極限真空 1×10?? Pa,保障薄膜均勻性與良率。
四、典型應用場景
半導體:金屬化、鈍化、 barrier 層、TSV 濺射
顯示:OLED、LCD、Mini?LED 電極 / 薄膜濺射
光伏:TCO、背電極、金屬柵線 PVD
光學:低輻射膜、增透膜、導電膜 連續(xù)鍍膜
裝飾 / 工具:硬質涂層、裝飾膜 量產線







