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深圳市京都玉崎電子有限公司
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半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)水平儀的精度要求，按工序 / 設(shè)備分檔非常明確，核心結(jié)論：
一、行業(yè)通用精度區(qū)間（換算對(duì)照）
角度精度：±0.001°～±0.005°
線值精度（1m 內(nèi)）：±0.1 μm/m ～ ±5 μm/m（即 0.0001 mm/m ～ 0.005 mm/m）
粗略換算：0.001° ≈ 17.5 μm/m
二、各工序典型要求（從高到低）
1）光刻（EUV/DUV，最嚴(yán)）
水平精度：±0.001°（≤17.5 μm/m）
重復(fù)精度：≤±0.0005°
場(chǎng)景：晶圓臺(tái)、光學(xué)平臺(tái)、鏡頭組基準(zhǔn)
原因：1° 傾斜≈焦平面偏移數(shù) μm，直接導(dǎo)致套刻 / 良率報(bào)廢
2）刻蝕 / 沉積（PECVD、ALD、PVD）
水平精度：±0.001°～±0.002°（17.5～35 μm/m）
場(chǎng)景：反應(yīng)腔、承載臺(tái)、蒸發(fā)源基座
影響：腔室不水平→等離子 / 氣流分布不均→膜厚 / 刻蝕深度不均
3）涂膠 / 顯影（Track）
水平精度：±0.002°～±0.005°（35～87 μm/m）
場(chǎng)景：大理石基臺(tái)、旋涂平臺(tái)
影響：膠厚不均→CD 不良、邊緣缺陷
4）CMP、檢測(cè) / 量測(cè)（SEM、AFM、三坐標(biāo)）
水平精度：±0.005°（≈87 μm/m）
場(chǎng)景：拋光平臺(tái)、檢測(cè)機(jī)基座、光學(xué)平臺(tái)
要求：長(zhǎng)期穩(wěn)定、抗振動(dòng)、溫度漂移小
5）一般自動(dòng)化設(shè)備（固晶、焊線、貼片機(jī)）
水平精度：±0.01°～±0.05°（0.175～0.87 mm/m）
三、為什么 SELN-001B 剛好匹配半導(dǎo)體
角度精度：±0.001°（=17.5 μm/m），直接覆蓋光刻 / 刻蝕最嚴(yán)標(biāo)準(zhǔn)
分辨率：0.0002°，可捕捉微小傾斜
零點(diǎn)重復(fù)性：≤±0.001°，長(zhǎng)期穩(wěn)定
分體式傳感器（φ50×19 mm）：可進(jìn)入腔室 / 平臺(tái)內(nèi)部狹小空間
