Sensofar 新型 3D 共聚焦白光干涉光學(xué)輪廓儀 S neox 融合白光干涉儀、3D 光學(xué)輪廓儀、共聚焦白光干涉顯微鏡等技術(shù)，在半導(dǎo)體先進(jìn)封裝領(lǐng)域，成為微 Bump（微凸點(diǎn)）形貌與尺寸檢測的常用設(shè)備，滿足非接觸、快速批量檢測需求。
半導(dǎo)體先進(jìn)封裝中，微 Bump 陣列的高度均勻性、共面度及表面粗糙度直接影響芯片與基板的焊接良率及電學(xué)性能。隨著封裝尺寸縮小，微 Bump 直徑與間距達(dá)微米級，傳統(tǒng)光學(xué)顯微鏡僅能觀測二維外觀，接觸式測量易損傷微小凸點(diǎn)，檢測精度與效率難以匹配量產(chǎn)需求。
半導(dǎo)體封裝企業(yè)在 2.5D 封裝產(chǎn)線中，需對批量微 Bump 陣列進(jìn)行全檢，管控高度偏差與共面度，引入 S neox 3D 輪廓儀搭建檢測方案。 檢測過程中，采用 S neox 的白光干涉模式，搭配 50 倍物鏡，對整片晶圓上的微 Bump 陣列進(jìn)行掃描。設(shè)備依托三維共聚焦白光干涉光學(xué)輪廓儀技術(shù)，橫向分辨率高，可清晰區(qū)分相鄰微小凸點(diǎn)，縱向分辨率達(dá)亞納米級，測量凸點(diǎn)高度與表面形貌。針對晶圓大面積檢測需求，設(shè)備支持自動(dòng)拼接掃描，一次性獲取毫米級區(qū)域數(shù)據(jù)，適配批量檢測場景。 數(shù)據(jù)分析時(shí)，通過專用軟件自動(dòng)提取微 Bump 的高度、直徑、體積及共面度等關(guān)鍵參數(shù)，生成統(tǒng)計(jì)報(bào)表與三維形貌模型。同時(shí)，利用共聚焦顯微鏡功能，觀測凸點(diǎn)表面氧化層、微小劃痕等缺陷，同步完成尺寸測量與缺陷篩查。
相較于傳統(tǒng)設(shè)備，S neox 的非接觸式輪廓儀特性，避免微小凸點(diǎn)變形損傷，檢測速度大幅提升，單顆晶圓檢測時(shí)間縮短，適配產(chǎn)線高頻次檢測需求。 應(yīng)用效果方面，通過 S neox 檢測，篩選出高度超差、表面有缺陷的微 Bump 產(chǎn)品，將封裝焊接良率提升，同時(shí)基于檢測數(shù)據(jù)反饋優(yōu)化電鍍工藝，減少批次性質(zhì)量問題，為半導(dǎo)體先進(jìn)封裝的質(zhì)量管控提供可靠數(shù)據(jù)支撐。
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