檢查天平水平、儀器爐膛清潔,無(wú)殘留樣品殘?jiān)?/div>
確認(rèn)坩堝(氧化鋁陶瓷坩堝)完好、無(wú)裂紋、無(wú)殘留炭化污漬;
檢查排氣管路通暢,避免煙氣倒灌污染天平。
二、儀器開機(jī)與預(yù)熱穩(wěn)定
依次開啟:冷卻水→氣源→儀器主機(jī)→電腦控制軟件;
打開天平保護(hù)氣小流量吹掃,恒溫靜置30min,讓天平、爐體、溫場(chǎng)完全穩(wěn)定;
軟件聯(lián)機(jī),自檢溫度傳感器、質(zhì)量傳感器、升降機(jī)構(gòu),無(wú)報(bào)錯(cuò)方可實(shí)驗(yàn)。
三、基線校準(zhǔn)+空白校正(關(guān)鍵,保證精度)
空坩堝放置于樣品支架,關(guān)閉爐體;
運(yùn)行空白基線程序:與正式實(shí)驗(yàn)升溫速率、溫度區(qū)間、氣氛完全一致;
實(shí)驗(yàn)結(jié)束保存基線,后續(xù)樣品測(cè)試自動(dòng)扣除基線漂移、浮力、氣流干擾;
高頻測(cè)試建議:每天開機(jī)必做1次基線,更換氣氛/升溫速率必須重做。
四、樣品制備與稱量(核心操作)
清理坩堝,灼燒或乙醇擦拭去油污、殘留雜質(zhì);
用精密天平稱取樣品,常規(guī)取樣量:5~10mg
粉體/細(xì)顆粒:5~10mg
薄膜/塊狀材料:剪成薄片,增大受熱面積
發(fā)泡、易膨脹樣品:減少取樣量,防止溢出污染爐膛
樣品平鋪坩堝底部,禁止堆積過(guò)厚、擠壓壓實(shí),避免受熱不均、分解滯后;
記錄樣品初始質(zhì)量,避免觸碰坩堝側(cè)壁、支架,防止外力影響稱重。
五、裝樣就位
緩慢升起爐體,輕放坩堝于TGA樣品傳感器托盤中心;
緩慢閉合爐膛,確保密封到位;
軟件執(zhí)行自動(dòng)清零,扣除坩堝自重,鎖定初始質(zhì)量。
六、實(shí)驗(yàn)參數(shù)設(shè)置(常用實(shí)操參數(shù))
氣氛選擇
惰性氛圍(熱穩(wěn)定性、殘?zhí)?、組分分析):高純N?
氧化氛圍(氧化穩(wěn)定性、灰分):干燥空氣/高純氧氣
氣體流量:常規(guī)20~50mL/min,穩(wěn)定氣流減少質(zhì)量漂移;
溫度程序
初始恒溫:室溫/40℃恒溫5~10min,穩(wěn)定體系;
升溫階段:常規(guī)5~20℃/min(仲裁檢測(cè)多用10℃/min);
終止溫度:根據(jù)材料設(shè)定(有機(jī)物常用600~800℃,無(wú)機(jī)可達(dá)1000~1200℃);
恒溫段:按需設(shè)置高溫保溫,用于殘留灰分穩(wěn)定測(cè)試。
勾選:實(shí)時(shí)質(zhì)量采集、溫度曲線同步記錄。
七、開始測(cè)試與過(guò)程監(jiān)控
參數(shù)核對(duì)無(wú)誤,啟動(dòng)運(yùn)行程序;
全程觀察:
氣流壓力、流量穩(wěn)定,無(wú)斷氣、漏氣;
無(wú)樣品飛濺、冒煙溢出、坩堝偏移;
質(zhì)量曲線無(wú)異常突變、溫度無(wú)超沖;
實(shí)驗(yàn)過(guò)程禁止觸碰儀器臺(tái)面、禁止開關(guān)門窗,減少氣流、振動(dòng)干擾。
八、實(shí)驗(yàn)結(jié)束操作
程序結(jié)束后,爐體自動(dòng)降溫,嚴(yán)禁高溫直接開爐;
待爐膛溫度降至100℃以下,再升起爐體;
取出坩堝,觀察樣品殘?zhí)俊⒒曳譅顟B(tài),記錄現(xiàn)象;
清理坩堝殘?jiān)y(tǒng)一收集危廢處理。
九、數(shù)據(jù)處理與關(guān)機(jī)
軟件解析曲線:起始分解溫度、失重比例、殘?zhí)柯?、灰分含量、多階段組分占比;
保存原始數(shù)據(jù)+圖譜,導(dǎo)出報(bào)告;
關(guān)機(jī)流程:停止實(shí)驗(yàn)→關(guān)閉加熱→降低氣流量→關(guān)閉主機(jī)→關(guān)閉氣源→關(guān)閉冷卻水;
長(zhǎng)期不用時(shí),保持儀器微量氮?dú)獯祾撸乐範(fàn)t膛受潮、腐蝕。
十、現(xiàn)場(chǎng)實(shí)操關(guān)鍵注意點(diǎn)(避錯(cuò))
樣品不可過(guò)量,高溫熔融、發(fā)泡樣品極易污染天平傳感器;
升溫速率越快,分解溫度偏高,對(duì)比實(shí)驗(yàn)必須統(tǒng)一升溫速率;
氣氛切換需緩慢置換,避免氣氛沖擊造成質(zhì)量漂移;
定期校準(zhǔn)溫度、天平零點(diǎn),保證批次數(shù)據(jù)重復(fù)性。
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