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詳細(xì)摘要：Currently, 2D aspect of this material remains largely unexplored. Iron Telluride （FeTe） is a member of layered materials.

詳細(xì)摘要：機(jī)械剝離工具套裝（旗艦版）

詳細(xì)摘要：特制紅/綠/藍(lán)QLED量子點(diǎn)溶液
濃度：~20mg/ml，溶劑：正辛烷（可定制不同溶劑、濃度）
直接用于旋涂工藝

詳細(xì)摘要：Platinum ditelluride （PtTe2） is a member of transition metal dichalcogenide （TMDCs） family with the MX2 formula.

詳細(xì)摘要：ZnSe量子點(diǎn)是一種新型環(huán)?！熬G色"半導(dǎo)體納米材料，有效克服了Cd系量子點(diǎn)毒性大的缺點(diǎn)，作為寬帶隙半導(dǎo)體材料，ZnSe是制造藍(lán)綠波段半導(dǎo)體發(fā)光器件的重要材料。應(yīng)用*專有技術(shù)合成的ZnSe/ZnS量子點(diǎn)具有尺寸均勻，單分散性強(qiáng)，熒光量子產(chǎn)率高，穩(wěn)定性好，生物毒性

詳細(xì)摘要：The only commercially available TlGaTe2 vdW crystals have been synthesized at our facilities through float zone technique.

詳細(xì)摘要：由于其激子波爾半徑比Ⅱ-Ⅵ族的大，量子限域效應(yīng)明顯，消光系數(shù)大，發(fā)射光譜頻率覆蓋整個可見光范圍，并延伸至近紅外區(qū)域，尤其是不含有重金屬元素，InP量子點(diǎn)在平板顯示背光源、照明、生物醫(yī)學(xué)標(biāo)記、指紋識別，以及太陽能領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 應(yīng)用*專有技術(shù)

詳細(xì)摘要：機(jī)械剝離工具套裝（標(biāo)準(zhǔn)版）

詳細(xì)摘要：近紅外量子點(diǎn)具有玻爾半徑大、禁帶寬度小、能量轉(zhuǎn)換率較高等特點(diǎn)，在光電器件、通訊、發(fā)光二極管、太陽能電池等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。由于其發(fā)射的近紅外波長具有很強(qiáng)的組織穿透性和低背景高分辨率的生物成像性能，因此還被廣泛應(yīng)用于生物領(lǐng)域。

詳細(xì)摘要：機(jī)械剝離工具套裝（高配版）

詳細(xì)摘要：New dimensions in 2D superconductors research: CuFeTe is unique material with highest Tc temperature in layered materials.

詳細(xì)摘要：形態(tài)：膠帶
參數(shù)
寬度：12.5mm
厚度：5mm

詳細(xì)摘要：Environmentally stable, perfect, World record size single crystal SnTe? （Tin diselenide） crystals are developed at our facilities using state-of-art techniques.

詳細(xì)摘要：Bismuth Selenide Telluride （Bi?Se?.?Te?.?） is developed at our facilities.

詳細(xì)摘要：2H semiconducting phase of MoTe2 crystals contain layers that are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers.

詳細(xì)摘要：化三鐵（鍺摻雜）晶體（99.995%） Fe3GeTe2
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

詳細(xì)摘要：A member of layered mica family but the exact chemical formula has been adjusted in such a way that resulting materials are K, Mg, and Fe

詳細(xì)摘要：本產(chǎn)品為表面鍍有石墨烯薄膜的單晶銅線，石墨烯*的性質(zhì)可以增強(qiáng)銅線本身的導(dǎo)電性，支持定制。

詳細(xì)摘要：產(chǎn)品名稱：4英寸二氧化硅拋光硅片 （SiO2）
生長方式：直拉單晶（CZ） 熱氧化工藝
直徑與公差：100±0.4mm
摻雜類型：N型（摻磷、砷、銻） P型（摻硼）
晶向：<111>\\<100>
電阻率：0.001-50

詳細(xì)摘要：An ideal substrate – template for two-dimensional （2D） materials to eliminate ripple, surface roughness, and doping （charge transfer） effects.