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PTFE晶圓架是半導體后端濕法專屬承載工裝，區(qū)別于普通光伏硅片架，針對帶電路、鍍膜的精密圖形化晶圓開發(fā)，和PTFE清洗夾、蝕刻槽籃、蝕刻臺成套配套，替代PVDF、PP材質通用晶圓支架。解決普通支架卡槽棱角劃傷光刻膠、長期藥液浸泡析出氟離子、超聲震動卡槽脫落碎屑污染晶圓電路、高溫形變卡片等行業(yè)痛點，適配百級、千級無塵車間，廣泛用于晶圓去膠、顯影、蝕刻、漂洗、退火預處理全濕法工序。

用于圖形化晶圓光刻膠剝離與顯影清洗。晶圓光刻完成后，需使用有機剝離液、堿性顯影液去除表層多余光刻膠，這類藥液滲透性強，普通塑膠支架長時間浸泡會溶脹變形，卡槽間隙收縮擠壓晶圓，造成邊緣電路崩損。PTFE晶圓架化學惰性穩(wěn)定，不與有機、酸堿藥液發(fā)生反應，卡槽間隙公差控制在±0.1mm，單片獨立限位，杜絕晶圓貼合擠壓，保證藥液均勻接觸晶圓正反面，顯影、去膠一致性達標。

適配晶圓蝕刻后超聲除顆粒與多級純水漂洗。晶圓干法蝕刻后表面殘留納米級硅渣、聚合物副產物，必須通過超聲清洗去除。該晶圓架鏤空透水率達72%，聲波穿透損耗極低，不會出現清洗死角；一體銑削結構無縫隙藏污，不會積存藥液結晶二次劃傷晶圓。同時鏤空結構可快速瀝干晶圓表面殘液，避免殘液風干后產生水印，防止表層氧化層不均勻生長，保障后續(xù)薄膜沉積良率。

滿足無塵車間轉運、低溫烘烤與跨工位存放需求。PTFE天然具備低摩擦防靜電特性，晶圓取放過程中不會因摩擦產生靜電擊穿微電路，無需額外噴涂防靜電涂層。超低金屬離子析出，不會向晶圓表面遷移鈉、鐵、銅等雜質，避免芯片漏電、參數漂移。可反復經強酸浸泡、純水超聲清洗循環(huán)復用，耐受上萬次濕法冷熱交替工況，使用壽命遠超PVDF晶圓架，有效降低半導體產線工裝更換頻次，穩(wěn)定晶圓制程良率。