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| 面議 |
OTSUKA/日本大塚
經(jīng)銷商
FE-3700
48
廣東深圳市
2026/6/11 16:57:23
產品簡介
| 產地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
| 應用領域 | 能源,電子/電池,汽車及零部件,電氣 |
日本進口Otsuka大塚高精度自動化膜厚儀
日本進口Otsuka大塚高精度自動化膜厚儀
FE 系列(FE-300/3700/5700/5000) —— 獨立臺式 / 離線膜厚儀(你說的 Stand-alone 膜厚測定機)
LS 線掃描系列 —— 離線 / 在線大面薄膜測厚,有時也被混稱為 TE
FE-300V:標準型(Vis 可見光)
FE-300UV:紫外增強型
FE-300NIR:近紅外厚膜型
測量原理:反射分光干涉 + **反射率分析
膜厚范圍:
FE-300UV:1 nm ~ 30 μm
FE-300V:3 nm ~ 50 μm
FE-300NIR:16 nm ~ 300 μm
波長:
UV:230–800 nm
VIS:360–1100 nm
NIR:900–1600 nm
單點測量時間:≤1 s
光斑:φ20 μm
可解析層數(shù):*多 10 層
尺寸:臺式小型機,約 350×450×200 mm
200 mm 晶圓量產抽檢:SiO?、SiN、光刻膠(PR)、多晶硅厚度
R&D 小批量:實驗室離線測厚、工藝條件篩選
封裝 / 載板:干膜、阻焊層、PI 膜、環(huán)氧樹脂層
化合物半導體:GaAs、InP 上介質膜 / 金屬膜厚
波長:230–1700 nm(UV–NIR 寬帶)
膜厚:1 nm ~ 500 μm
重復性:≤±0.05 nm(超薄膜)
平臺:全自動 XYθ 平臺(300 mm 兼容)
映射:2D/3D 厚度分布圖
層數(shù):*多 20 層解析
300 mm 晶圓廠離線質檢:CMP 后氧化層殘留、STI 淺溝槽、ILD 層間介質
光刻工藝:PR 膜厚 + 均勻性檢測(曝光前 / 后)
超薄高 k 介質:幾 nm–幾十 nm HfO?、Al?O? 等
功率器件:厚場氧、鈍化膜、外延層測厚
測量方式:光譜橢偏 + 反射率
波長:190–1700 nm
膜厚:0.1 nm ~ 500 μm
可測:膜厚 + 折射率 n + 消光系數(shù) k
自動變角:45°–90° 自動入射角
解析能力:多層膜、梯度膜、超晶格
優(yōu)良制程(7nm–28nm):極薄柵氧、高 k / 金屬柵疊層
FinFET、GAA:側墻 / 間隔層、SiGe 外延層厚度與組分
非晶 / 微晶薄膜:TFT、IGZO、SiNx 鈍化膜
高精密光學鍍膜:AR、HR、DLC、多層濾光片
LS 離線線掃描膜厚儀(常被混稱為 TE 離線型)
超薄柵氧 / 高 k(1–100 nm) → FE-300UV / FE-5000
200mm 量產、SiO?/SiN/PR(3–50 μm) → FE-300V
300mm、CMP/ILD/ 厚膜(50–300 μm) → FE-300NIR / FE-3700
優(yōu)良制程、n/k 常數(shù)、多層疊層 → FE-5000
整片大面均勻性、厚膠 / 基板 → LS 離線線掃描
大面積均勻性檢測:整片晶圓 / 玻璃基板膜厚 mapping
厚膠 / 厚膜:臨時鍵合膠、封裝填充層、厚光刻膠(>50 μm)
FPD 與半導體:LCD/OLED 基板、大尺寸晶圓 TSV 厚硅層
制程異常分析:膜厚不均、邊緣堆積、條紋缺陷快速定位
膜厚范圍:0.1 μm ~ 300 μm
測量寬度:250 mm(X 向)
掃描速度:1 ms / 點,500 萬點 / 分鐘
臺面:真空吸附平臺,可放整片 200 mm 晶圓 / 方片
尺寸:459×609×927 mm,重量 60 kg
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大塚電子主要銷售用于光學特性評價?檢查的裝置。其裝置用于在LED、OLED、汽車前燈等的光源?照明產業(yè)以及液晶顯示器、有機EL顯示器等平板顯示產業(yè)以及其相關材料的光學特性評價?檢查。以高速?高精度?高可靠性且有市場實際應用的分光器MCPD系列為基礎,在中國的顯示器市場上有著20年以上銷售實例,為許多廠家在研究開發(fā)、生產部門所使用。并且在光源?照明相關方面,對國家級研究機構、各個廠家的銷售量在逐步擴大。
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