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進(jìn)口DNK大日本科研?200mm 兼容曝光機(jī)

?進(jìn)口DNK大日本科研化合物半導(dǎo)體用?200mm曝光機(jī)?是專為高精度光刻工藝設(shè)計(jì)的關(guān)鍵設(shè)備，廣泛應(yīng)用于LED、激光二極管（LD）、功率器件等化合物半導(dǎo)體的研發(fā)與小批量生產(chǎn)，支持?Φ200mm（8英寸）晶圓?的高效圖形轉(zhuǎn)移。

該系列以?MA-4301M?為代表型號(hào)，具備以下核心特性：

?高精度對(duì)位能力?：采用X?Y?θ自動(dòng)對(duì)位系統(tǒng)，結(jié)合高速圖像處理技術(shù)，實(shí)現(xiàn)?±1 μm（峰值搜索）?的對(duì)位精度，確保多層曝光的精準(zhǔn)套刻。

?靈活曝光模式?：支持軟接觸、硬接觸及接近式曝光（Proximity exposure），可根據(jù)工藝需求靈活選擇，節(jié)拍時(shí)間低至?19秒/片?（單批次補(bǔ)償）。

?穩(wěn)定光學(xué)系統(tǒng)?：搭載鏡面光學(xué)系統(tǒng)燈房（Lamp House），確保照射面內(nèi)高均勻性與高照度，提升曝光一致性。

?自動(dòng)化與擴(kuò)展性?：配備自動(dòng)掩膜更換機(jī)，支持掩膜庫(kù)存儲(chǔ)；可選裝冷卻機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)基板臺(tái)與掩膜的溫度管理，適用于高穩(wěn)定性生產(chǎn)環(huán)境。

?寬兼容性?：支持Si、Glass等多種基材，晶圓尺寸覆蓋Φ6″（150mm）與Φ8″（200mm），滿足多種研發(fā)與中試需求。

此外，設(shè)備本體尺寸為?W 1800 × D 1650 × H 2015 mm?，總重量約?1400 kg?（含燈房），適合集成于潔凈室環(huán)境。

進(jìn)口DNK大日本科研?200mm 兼容曝光機(jī)

主要特長(zhǎng)

·利用本公司高速圖像處理技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了Wafer與掩膜的高精度對(duì)位。

·裝載機(jī)側(cè)和卸載機(jī)側(cè)最多可設(shè)置兩個(gè)籃具(選購(gòu)項(xiàng))。

·備有冷卻機(jī)構(gòu)，可進(jìn)行基板臺(tái)與掩膜的溫度管理(選購(gòu)項(xiàng))。

·搭載本公司鏡面光學(xué)系統(tǒng)爆光燈房(LAMPHOUSE)。從而實(shí)現(xiàn)了照射面內(nèi)的均勻性以及高照度。

·搭載非接觸預(yù)對(duì)位系統(tǒng)(PREALIGNER)。從而實(shí)現(xiàn)了高精度進(jìn)給且保證基板不受任何損傷。

 搭載有自動(dòng)掩膜更換機(jī)。并可支持掩膜存放庫(kù)。

主要規(guī)格