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FUJICON富士IGBT模塊

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產(chǎn)品系列與構(gòu)造?封裝類(lèi)型

1-pack/2-pack?：單單元或半橋結(jié)構(gòu)，適用于大容量電力轉(zhuǎn)換器，如2mbi200va-060（200A/600V）等型號(hào)?

6-pack/PIM?：集成三相變頻器電路，如6mbi300vn-120（300A/1200V），內(nèi)置整流和制動(dòng)單元，簡(jiǎn)化主電路設(shè)計(jì)?
EconOPACK+?：優(yōu)化散熱與布局，支持大容量變頻器?

技術(shù)特點(diǎn)
采用DCB基板降低熱阻，部分型號(hào)通過(guò)引線連接實(shí)現(xiàn)超薄化
第7代X系列芯片支持175℃結(jié)溫，損耗降低10%以上?

應(yīng)用場(chǎng)景

工業(yè)變頻器?：PIM模塊（如7mbr75ub120）用于11kW以下小功率設(shè)備?

新能源?：RC-IGBT芯片提升散熱效率，適配風(fēng)電、光伏系統(tǒng)?
?汽車(chē)電子?：車(chē)載模塊覆蓋80kW~220kW，采用7.5代RC-IGBT技術(shù)?
多重保護(hù)機(jī)制
內(nèi)置過(guò)熱、過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)，如7MBR50SB120-50可承受4000V浪涌電壓，保障安全?
優(yōu)化FS結(jié)構(gòu)（場(chǎng)截止技術(shù)），高溫漏電流降低28%，抑制電壓振蕩?
高溫性能支持175℃連續(xù)工作，結(jié)溫耐受能力較前代提升35%，功率循環(huán)壽命翻倍?
市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力
國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)

國(guó)產(chǎn)廠商在SiC技術(shù)上的突破（如損耗降低70%）對(duì)傳統(tǒng)IGBT形成挑戰(zhàn)，但富士通過(guò)持續(xù)迭代保持優(yōu)勢(shì)?
產(chǎn)業(yè)鏈整合富士電機(jī)通過(guò)IDM模式控制成本，如X系列IPM額定電流擴(kuò)展至300A（1200V）?

富士成立時(shí)間?：1934年1月20日，前身為大日本Seruroido株式會(huì)社照片膠卷部門(mén)，是日本綜合企業(yè)，模塊類(lèi)通過(guò)模塊化設(shè)計(jì)和持續(xù)技術(shù)迭代，滿足高可靠性、低損耗的電力電子需求?，壽命受工作條件、散熱設(shè)計(jì)及使用環(huán)境等因素影響，通常可達(dá)?10-20年之久。

我司型號(hào)齊全：快速熔斷器、儲(chǔ)能熔斷器、圓型管式快速熔斷器、光伏熔斷器、萬(wàn)用表保險(xiǎn)絲、NHG熔斷器等、IGBT、晶閘管、可控硅、二極管等；其他品牌英飛凌、巴斯曼、賽米控、西門(mén)子、斯達(dá)等均有合作。